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Forum "Elektrotechnik" - Schnitt durch Mosfet
Schnitt durch Mosfet < Elektrotechnik < Ingenieurwiss. < Vorhilfe
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Schnitt durch Mosfet: P -Kanal
Status: (Frage) beantwortet Status 
Datum: 12:20 Mi 13.07.2016
Autor: fse

Aufgabe
Wie sieht die prinipielle Schnittdarstellung eines P-Kanal Mosffet im Abschnürrbereich aus?

Links habe ich mal den Verlauf hingzeichnet wie er bein N-Kanal Mosfet ist.
Welches der beiden rechten Bilder stimmt jedoch für den P-Kanal Mosfet?
Oder stimmt eventuell gar keins? Wird der Kanal durch Löcher oder Elektronen gebildet ?

Grüße fse
[Dateianhang nicht öffentlich]

Dateianhänge:
Anhang Nr. 1 (Typ: png) [nicht öffentlich]
        
Bezug
Schnitt durch Mosfet: Antwort
Status: (Antwort) fertig Status 
Datum: 19:20 Mi 13.07.2016
Autor: leduart

Hallo
die Leitung ist Lötherleitung, für den aufbau mit p- substrat siehe
http://elektroniktutor.de/bauteilkunde/mosfet.html
oder in wiki
Gruß leduart

Bezug
                
Bezug
Schnitt durch Mosfet: Frage (beantwortet)
Status: (Frage) beantwortet Status 
Datum: 20:37 Mi 13.07.2016
Autor: fse

Der Link und auch Wiki sagt leider nichts über die Abschnürung aus! Wird beim P-Kanal am Drain oder an der Source abgeschnürt?

Bezug
                        
Bezug
Schnitt durch Mosfet: Antwort
Status: (Antwort) fertig Status 
Datum: 17:36 Fr 15.07.2016
Autor: Infinit

Hallo fse,
die Abschnürung tritt immer am Drain-Anschluss auf. Beim P-Kanal hast Du eine Löcherleitung und negative Spannung zwischen Drain und Source, beim n-Kanal eine Elektronenleitung und das aber bei einer positiven Spannung zwischen Drain und Source.
Viele Grüße,
Infinit

Bezug
                                
Bezug
Schnitt durch Mosfet: Mitteilung
Status: (Mitteilung) Reaktion unnötig Status 
Datum: 23:52 Fr 15.07.2016
Autor: fse

>>Die Abschnürung tritt immer am Drain-Anschluss auf.

Ok! Genau das wollte ich wissen! Habs mir auch so gedacht aber war mir nicht zu 100% sicher!

Danke!

Bezug
        
Bezug
Schnitt durch Mosfet: Antwort
Status: (Antwort) fertig Status 
Datum: 17:08 Fr 15.07.2016
Autor: Josef

Hallo,

"Beim p-Kanal-MOSFET (PMOS, PMOSFET) bilden Defektelektronen (Löcher) die Majoritätsladungsträger, sie fließen in Richtung der technischen Stromrichtung."

[]Quelle


"Der Abschnürpunkt lässt sich über die Gatespannung beeinflussen. Nach Gleichung (11) wäre der
MOSFET im Abschnürbereich eine ideale Stromquelle, weil dann der Drainstrom unabhängig von UDS ist.
Allerdings verschiebt sich der Abschnürpunkt im Transistor mit steigender Spannung von l0 in Richtung der
Sourceelektrode, womit sich die effektive Länge der Kanalzone l0 verkürzt."


[]Quelle



siehe auch []hier


Viele Grüße
Josef




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